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參數(shù)資料
型號(hào)： PK60X256VLQ100
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 29/79頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARM CORTEX MCU 256K 144-LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Kinetis® Cortex-M4 Microcontroller Family
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： Kinetis
核心處理器： ARM? Cortex?-M4
芯體尺寸： 32-位
速度： 100MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 100
程序存儲(chǔ)器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
EEPROM 大小： 4K x 8
RAM 容量： 64K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.71 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 33x16b，D/A 2x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 144-LQFP
包裝： 托盤(pán)
Table 21. Flash command timing specifications (continued)
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
teewr16bers Word-write to erased FlexRAM location
execution time
—
175
260
μs
teewr16b32k
teewr16b64k
teewr16b128k
teewr16b256k
Word-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
385
475
650
1000
1800
2000
2400
3200
μs
Longword-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr32bers Longword-write to erased FlexRAM location
execution time
—
360
540
μs
teewr32b32k
teewr32b64k
teewr32b128k
teewr32b256k
Longword-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
630
810
1200
1900
2050
2250
2675
3500
μs
1. Assumes 25 MHz flash clock frequency.
2. Maximum times for erase parameters based on expectations at cycling end-of-life.
3. For byte-writes to an erased FlexRAM location, the aligned word containing the byte must be erased.
6.4.1.3 Flash high voltage current behaviors
Table 22. Flash high voltage current behaviors
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
IDD_PGM
Average current adder during high voltage
flash programming operation
—
2.5
6.0
mA
IDD_ERS
Average current adder during high voltage
flash erase operation
—
1.5
4.0
mA
6.4.1.4 Reliability specifications
Table 23. NVM reliability specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.1
Max.
Unit
Notes
Program Flash
tnvmretp10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
tnvmretp1k Data retention after up to 1 K cycles
20
100
—
years
nnvmcycp Cycling endurance
10 K
50 K
—
cycles
Data Flash
tnvmretd10k Data retention after up to 10 K cycles
5
50
—
years
Table continues on the next page...
Peripheral operating requirements and behaviors
K60 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
35
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PDF描述
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P89LPC907FD,112 IC 80C51 MCU FLASH 1K 8-SOIC
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PK6-12R-T 功能描述:端子 Ring Terminal, large wire, KYNAR insulat RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規(guī):26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點(diǎn)電鍍:Tin over Nickel 觸點(diǎn)材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類(lèi)型:Crimp
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