參數(shù)資料
型號： PHD95N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： PHD95N03LT
Philips Semiconductors
PHD95N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 18 July 2001
8 of 13
9397 750 08216
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 24 V, 12 V and 6 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ad82
0
15
30
45
60
75
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ad84
0
2
4
6
8
10
0
30
60
90
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 50 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 6 V 12 V 24 V
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