參數(shù)資料
型號(hào)： PHB38N02LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： PHB38N02LT
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 30 June 2003
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS
technology.
Product availability:
PHB38N02LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
I
Linear regulator for DDR memory.
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.
I
Low on-state resistance
I
2.5 V gate drive.
I
V
DS
= 20 V
I
P
tot
= 57.6 W
I
I
D
= 44.7 A
I
R
DSon
≤
16 m
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT404 and SOT428 simplified outlines and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Symbol
SOT428 (D-PAK)
SOT404 (D
2
-PAK)
[1]
MBK091
Top view
1
3
mb
2
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB42N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB45N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
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PHB63NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
PHB38N02LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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