參數(shù)資料
型號： PHB101NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： PHB101NQ03LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
3 of 13
9397 750 10929
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03ai19
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ai21
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
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