參數(shù)資料
型號(hào)： PF48F4000P0ZBQ0
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PBGA88
封裝： 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
文件頁數(shù)： 45/102頁
文件大小： 1609K
代理商： PF48F4000P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
45
7.5
Program and Erase Characteristics
Num
Symbol
Parameter
V
PPL
V
PPH
Units Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Conventional Word Programming
W200 t
PROG/W
Program
Time
Single word
Single cell
-
-
90
30
200
60
-
-
85
30
190
60
μs
1
Buffered Programming
W200 t
PROG/W
W251 t
BUFF
Buffered Enhanced Factory Programming
W451 t
BEFP/W
Program
W452
Setup
Erasing and Suspending
W500 t
ERS/PB
Erase Time128-KByte Main
W501 t
ERS/MB
W600 t
SUSP/P
Suspend
Latency
W601 t
SUSP/E
Notes:
1.
Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages. Performance numbers are valid for all
speed versions. Excludes system overhead. Sampled, but not 100% tested.
2.
Averaged over entire device.
Program
Time
Single word
32-word buffer
-
-
90
440
200
880
-
-
85
340
190
680
μs
1
Single word
n/a
n/a
n/a
-
10
-
μs
1,2
t
BEFP/
BEFP Setup
n/a
n/a
n/a
5
-
-
1
-
-
-
-
0.4
1.2
20
20
2.5
4.0
25
25
-
-
-
-
0.4
1.0
20
20
2.5
4.0
25
25
s
1
Program suspend
Erase suspend
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF48F0P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F2P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0VB00 Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PF48F4000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 88-SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PF48F4000P0ZBQE3 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 88SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
PF48F4000P0ZBQEA 功能描述:256MB P30-HV 65NM QUAD+ LF BB RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
PF48F4000P0ZBQEF 功能描述:IC FLASH 256MBIT SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
PF48F4000P0ZBQEG 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF V 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PF48F4000P0ZBQEG - Tape and Reel
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