參數(shù)資料
型號： PDTC143Z
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm
中文描述： NPN配電阻型晶體管;R1=4.7 千歐姆, R2 =47 千歐姆
文件頁數(shù)： 7/14頁
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代理商： PDTC143Z
2004 Aug 16
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = 47 k
PDTC143Z series
UNIT
A
1
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC143ZS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm
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PDTC143EK NPN resistor-equipped transistor
PDTC143ES NPN resistor-equipped transistor
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參數(shù)描述
PDTC143ZE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW
PDTC143ZE T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC143ZE,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC143ZE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN 50V 100M 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-416
PDTC143ZEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
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