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參數資料
| 型號： | PDTC143X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管;R1=4.7千歐姆，R2=10千歐姆 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | PDTC143X |
PDTC143X_SER_9
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 09 — 26 July 2005
6 of 12
Philips Semiconductors
PDTC143X series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k
, R2 = 10 k
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 1.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 2.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 4.
Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
006aaa178
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
1
10
2
10
006aaa179
10
2
10
3
V
CEsat
(mV)
10
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
006aaa180
10
1
10
2
V
I(on)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa181
I
C
(mA)
10
2
10
1
10
1
1
10
V
I(off)
(V)
10
1
(1)
(3)
(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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