參數(shù)資料
型號(hào)： PD57006S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 11/14頁
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代理商： PD57006S
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PD57006 - PD57006S
COMMON SOURCE S-PARAMETER
(PD57006)
(V
DS
= 28V I
DS
= 0.2A)
FREQ
(MHz)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
IS
11
I
IS
21
I
IS
12
I
S
12
∠Φ
IS
22
I
S
22
∠Φ
0.953
0.855
0.823
0.818
0.824
0.832
0.835
0.845
0.850
0.860
0.866
0.870
0.878
0.883
0.887
0.890
0.890
0.888
0.892
0.894
0.892
0.888
0.885
0.880
0.872
0.864
0.856
0.844
0.824
0.806
-65
-104
-124
-136
-144
-150
-155
-159
-162
-165
-168
-170
-172
-174
-177
-179
179
178
176
174
172
170
169
167
165
163
161
159
156
154
31.01
21.59
15.49
11.84
9.54
7.85
6.48
5.51
4.69
4.11
3.58
3.21
2.88
2.60
2.37
2.16
1.98
1.82
1.69
1.57
1.47
1.36
1.28
1.21
1.16
1.11
1.09
1.06
1.06
1.04
138
112
96
85
75
67
59
53
4
43
38
33
29
25
21
17
13
9
6
3
0
-3
-6
-9
-11
-14
-17
-20
-23
-29
0.022
0.030
0.031
0.031
0.031
0.029
0.029
0.027
0.025
0.024
0.023
0.021
0.019
0.019
0.016
0.017
0.015
0.014
0.013
0.013
0.011
0.011
0.010
0.009
0.009
0.008
0.007
0.007
0.007
0.008
48
20
7
-5
-12
-19
-25
-31
-36
-41
-44
-48
-53
-53
-59
-60
-62
-67
-70
-72
-76
-80
-86
-89
-95
-103
-110
-118
-129
-143
0.780
0.677
0.601
0.605
0.614
0.635
0.676
0.696
0.722
0.748
0.773
0.790
0.808
0.821
0.838
0.846
0.856
0.869
0.879
0.886
0.892
0.894
0.899
0.897
0.901
0.906
0.905
0.905
0.906
0.910
-52
-85
-101
-113
-118
-126
-129
-134
-137
-141
-144
-147
-150
-152
-154
-156
-158
-160
-162
-163
-165
-166
-168
-170
-171
-173
-174
-176
-177
-178
S
11
∠Φ
S
21
∠Φ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PD57018 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD57018S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD57030 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD57030S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD75104 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PD57006S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power Transistor N Chnl RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006TR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006TR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57018 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 2.5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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