參數(shù)資料
型號(hào)： PC9RS08KA2DWE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 25/136頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 98
系列： RS08
核心處理器： RS08
芯體尺寸： 8-位
速度： 10MHz
外圍設(shè)備： LVD，POR，WDT
輸入/輸出數(shù)： 4
程序存儲(chǔ)器容量： 2KB（2K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 63 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
包裝： 管件
配用： DEMO9RS08KA2-ND - DEMO BOARD FOR 9RS08KA2
Appendix A Electrical Characteristics
MC9RS08KA2 Series Data Sheet, Rev. 4
120
Freescale Semiconductor
Table A-9. FLASH Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typical1
1 Typicals are measured at 25
°C.
Max
Unit
Supply voltage for program/erase
VDD
2.7
—
5.5
V
Program/Erase voltage
VPP
11.8
12
12.2
V
VPP current
Program
Mass erase
IVPP_prog
IVPP_erase
—
200
100
μA
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 10 MHz
VRead
1.8
—
5.5
V
Byte program time
tprog
20
—
40
μs
Mass erase time
tme
500
—
ms
Cumulative program HV time2
2 t
hv is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase. Same address can not
be programmed more than twice before next erase.
thv
——
8
ms
Total cumulative HV time
(total of tme & thv applied to device)
thv_total
—
2
hours
HVEN to program setup time
tpgs
10
—
μs
PGM/MASS to HVEN setup time
tnvs
5—
—
μs
HVEN hold time for PGM
tnvh
5—
—
μs
HVEN hold time for MASS
tnvh1
100
—
μs
VPP to PGM/MASS setup time
tvps
20
—
ns
HVEN to VPP hold time
tvph
20
—
ns
VPP rise time
3
3 Fast V
PP rise time may potentially trigger the ESD protection structure, which may result in over current flowing
into the pad and cause permanent damage to the pad. External filtering for the VPP power source is
recommended. An example VPP filter is shown in Figure A-3.
tvrs
200
—
ns
Recovery time
trcv
1—
—
μs
Program/erase endurance
TL to TH = –40°C to + 85°C
—
1000
—
cycles
Data retention
tD_ret
15
100
—
years
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PDF描述
VI-B6Z-IX-F1 CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
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參數(shù)描述
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