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參數(shù)資料
| 型號： | P4C422-12CM |
| 廠商： | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | HIGH SPEED 256 x 4 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 高速靜態(tài)256 × 4 CMOS存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | P4C422-12CM |
P4C422
Page 4 of 10
Document #
SRAM101
REV. A
Max
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10% except as noted, All Temperature Ranges)
(2)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE
Parameter
Write Cycle Time
(5)
Write Enable to High-Z
(6)
Write Recovery Time
Write Pulse Width
(5,7)
Data Setup Time Prior to Write
(5)
Data Hold Time
(5)
Address Setup Time
(5,7)
Address Hold Time
(5)
Chip Select Setup Time
(5)
Chip Select Hold Time
(5)
Sym.
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
-10*
-12
-15
-20
-25
-35
Unit
Min Max Min Max Min Max Min
10
12
Min Max Min Max
25
8
0
2
8
8
9
0
10
10
15
11
0
2
12
12
20
13
2
15
15
15
5
20
20
35
20
5
30
25
ns
ns
ns
ns
ns
*V
CC
= 5V ± 5%
2
2
5
5
5
ns
0
0
0
2
5
5
ns
2
2
4
5
5
5
ns
0
0
0
2
5
5
ns
2
2
5
5
5
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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