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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C198A-20DMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 16K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, CERDIP-24 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | P4C198A-20DMB |
P4C198/198L, P4C198A/198AL
Page 7 of 13
Document #
SRAM113
REV A
WRITE CYCLE NO. 2 (
WE
CONTROLLED)
(13,14)
1520 08
WRITE CYCLE NO. 3 (
CE
(12)
CONTROLLED)
(13,14)
Notes:
13.
CE
(
CE
1
,
CE
2
for P4C198A/L) and
WE
must be LOW for WRITE
cycle.
14.
OE
is LOW for this WRITE cycle.
15. If
CE
(
CE
or
CE
for P4C198A/L) goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains in a high impedance state.
16. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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