參數(shù)資料
型號: P4C174-8CMB
廠商: Pyramid Semiconductor Corporation
英文描述: HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM
中文描述: 高速8K的高速緩存標(biāo)記× 8靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大小: 290K
代理商: P4C174-8CMB
P4C174
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Document #
SRAM118
REV C
Symbol
t
RC
t
AA
t
OH
t
AC
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
Read Cycle Time
Address Access
Time
Address Change to
Output Change
Chip Enable LOW to
Output Valid
Chip Enable LOW
to Output LOW-Z
(1)
Chip Enable HIGH
to Output HIGH -Z
(1)
Output Enable LOW
to Output Valid
Output Enable LOW
to Output LOW-Z
(1)
Min
–8
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–15
–20
–10
–12
–25
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
8
3
3
0
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
t
OHZ
Output Enable HIGH
to Output HIGH -Z
(1)
Chip Enable LOW or
Address Change to
Powerup
t
PU
t
pUPD
Powerup to
Powerdown
Note:
1. Transition is measured ± 200 mV from steady state voltage with Output Load B.
0
8
8
5
5
5
20
10
3
3
0
0
10
10
5
6
5
20
12
3
3
0
0
12
12
5
6
5
20
15
3
3
0
0
15
15
8
8
5
20
20
3
3
0
0
20
20
8
10
8
20
25
3
3
0
0
25
25
10
12
10
25
ns
ns
ns
Parameter
READ CYCLE NO. 1 (
OE
CONTROLLED)
(2, 3)
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PDF描述
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