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參數(shù)資料
| 型號： | P4C174-25CM |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 8 CACHE TAG SRAM, 25 ns, CDIP28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 290K |
| 代理商： | P4C174-25CM |
P4C174
Page 3 of 12
Document #
SRAM118
REV C
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C174 Military Temperature Only)
Symbol
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to
Data Retention Time
Operation Recovery Time
Test Conditons
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
or V
IN
≤
0.2V
Min
2.0
0
t
RC
§
Typ.*
V
=
2.0V 3.0V
Max
V
=
2.0V 3.0V
Unit
10
15
600
900
V
μA
ns
ns
*T
A
= +251C
§t
RC
= Read Cycle Time
This parameter is guaranteed but not tested.
I
CC
Symbol
Parameter
Temperature
Range
Commercial
Dynamic Operating Current*
–8
200
–10
180
–12
170
–15
–20
155
–25
150
Unit
mA
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED
*V
CC
= 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V.
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
170
160
155
mA
Military
DATA RETENTION WAVEFORM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C174-25CMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-25JM | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-25JMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-25PM | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-25PMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C188-30PC | 制造商:PERF SEMI 功能描述: |
| P4C214-13PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-17PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-20PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25GR52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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