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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C174-20CM |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 8 CACHE TAG SRAM, 20 ns, CDIP28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 290K |
| 代理商： | P4C174-20CM |
P4C174
Page 4 of 12
Document #
SRAM118
REV C
Symbol
t
RC
t
AA
t
OH
t
AC
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
Read Cycle Time
Address Access
Time
Address Change to
Output Change
Chip Enable LOW to
Output Valid
Chip Enable LOW
to Output LOW-Z
(1)
Chip Enable HIGH
to Output HIGH -Z
(1)
Output Enable LOW
to Output Valid
Output Enable LOW
to Output LOW-Z
(1)
Min
–8
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–15
–20
–10
–12
–25
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
8
3
3
0
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
t
OHZ
Output Enable HIGH
to Output HIGH -Z
(1)
Chip Enable LOW or
Address Change to
Powerup
t
PU
t
pUPD
Powerup to
Powerdown
Note:
1. Transition is measured ± 200 mV from steady state voltage with Output Load B.
0
8
8
5
5
5
20
10
3
3
0
0
10
10
5
6
5
20
12
3
3
0
0
12
12
5
6
5
20
15
3
3
0
0
15
15
8
8
5
20
20
3
3
0
0
20
20
8
10
8
20
25
3
3
0
0
25
25
10
12
10
25
ns
ns
ns
Parameter
READ CYCLE NO. 1 (
OE
CONTROLLED)
(2, 3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C174-20CMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-20JM | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-20JMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-20PM | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
| P4C174-20PMB | HIGH SPEED 8K x 8 CACHE TAG STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C188-30PC | 制造商:PERF SEMI 功能描述: |
| P4C214-13PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-17PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-20PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25GR52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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