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參數(shù)資料
| 型號： | P4C170-25LM |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 4K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, CQCC20 |
| 封裝： | 0.290 X 0.430 INCH, CERAMIC, LCC-20 |
| 文件頁數(shù)： | 5/15頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | P4C170-25LM |
P4C168, P4C169, P4C170
Page 5 of 15
Document #
SRAM107
REV A
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
t
WC
Write Cycle Time
12
15
18
20
30
ns
t
cw
Chip Enable Time to End of Write
12
15
18
20
30
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
12
15
18
20
30
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
0
0
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
15
18
20
30
ns
t
AH
Address Hold Time
0
0
0
0
0
ns
t
DW
Data Valid to End of Write
7
8
10
10
15
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
0
0
0
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High Z
4
5
6
7
13
ns
t
OW
Output Active from End of Write
0
0
0
0
0
ns
Sym
Parameter
Unit
-35
-12
-15
-20
-25
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE (CONTINUED)
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Min Max Min Max Min Max
t
WC
Write Cycle Time
45
55
70
ns
t
cw
Chip Enable Time to End of Write
40
50
60
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
40
50
60
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
40
50
60
ns
t
AH
Address Hold Time
0
0
0
ns
t
DW
Data Valid to End of Write
20
20
25
ns
t
DH
Data Hold Time
3
3
3
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High Z
20
25
30
ns
t
OW
Output Active from End of Write
0
0
0
ns
Sym
Parameter
Unit
-45
-55
-70
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C170-35CC | ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C170-35CM | ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C170-35FC | ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C170-35FM | ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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