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參數(shù)資料
| 型號： | P4C1049-70FS36I |
| 廠商： | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 高速為512k × 8靜態(tài)CMOS存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | P4C1049-70FS36I |
P4C1049
Page 7 of 12
Document #
SRAM128
REV OR
Notes:
10.
CE
and WE must be LOW for WRITE cycle.
11.
OE
is LOW for this WRITE cycle to show t
and t
.
12. If
CE
goes HIGH simultaneously with
WE
HIGH, the output remains
in a high impedance state
13. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
transitioning address.
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 2 (
CE
CONTROLLED)
(10)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1049-70FS36M | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-70FS36MB | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
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| P4C1049-70JM | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1049-70FS36M | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-70FS36MB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-70JC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-70JI | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-70JM | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
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