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參數(shù)資料
| 型號： | P4C1049-35FS36MB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDFP36 |
| 封裝： | DFP-36 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | P4C1049-35FS36MB |
P4C1049
Page 6 of 12
Document #
SRAM128
REV OR
-35
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Sym.
t
WC
t
CW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
Parameter
Write Cycle Time
Chip Enable Time to End of
Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Address Hold Time
Date Hold Time
Data Valid to End of Write
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
-20
-25
-45
-55
-70
-15
Unit
15
12
0
20
14
0
25
0
16
0
35
0
22
0
45
0
25
0
55
0
30
0
70
0
35
0
12
0
9
14
0
11
18
16
0
13
22
20
0
15
30
25
0
20
35
35
0
25
40
40
0
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AW
Address Valid to End of
Write
12
14
0
0
Write Enable to Output in
High Z
Output Active from End of
Write
8
10
11
15
18
25
30
ns
t
OW
3
3
3
5
5
5
5
ns
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
CONTROLLED)
(10,11)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1049-35JC | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JI | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JM | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JMB | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35L36C | HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1049-35JC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JI | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JM | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35JMB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
| P4C1049-35L36C | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH SPEED 512K x 8 STATIC CMOS RAM |
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