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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C1048L |
| 廠(chǎng)商： | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 低功率為512k × 8的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | P4C1048L |
P4C1048L
Page 8 of 12
Document #
SRAM129
REV D
DATA RETENTION
1.
CE
1
≥
V
DR
-0.2V, CE
2
≥
V
DR
-0.2V or CE
2
≤
0.2V; or
CE
1
≤
0.2V, CE
2
- 0.2V; V
IN
≥
V
DR
-0.2V or V
IN
≤
0.2V
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM
Symbol
Parameter
Test Conditions
Unit
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
CE
≥
V
CC
-0.2V,
V
IN
≥
V
CC
-0.2V or V
IN
≤
0.2V
V
V
DR
= 2.0V
V
DR
= 3.0V
μA
μA
t
R
Operating Recovery Time
Chip Deselect to Data
Retention Time
See Retention Waveform
ns
ns
t
CDR
Max
Min
2.0
5.5
20
200
t
RC
0
30
300
Comm/Ind
Military
Comm/Ind
Military
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1048L-100CWC | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWI | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWM | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWMB | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100PC | LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1048L-100CWC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWI | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWM | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100CWMB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1048L-100PC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱(chēng):Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 512K x 8 CMOS STATIC RAM |
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