參數(shù)資料
型號： P0120007P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 25萬千瓦GaAs功率場效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 560K
代理商： P0120007P
NF Characteristics
Technical Note
P0120007P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
-
[Note]
The data for Smith charts were measured at frequency of 2GHz and Tc of 25°C.
2.0
1.20
0.43
157.5
0.08
Ids=100mA
Ids=80mA
Ids=60mA
0
1
1
-
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10.0
-
5
5.0
-
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2
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30
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4.0
0
0
-0.2
0
0
-04
0
0
-.
0
0
-
1.20
1.70
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
0
1
1
-
1
10.0
-
5
5.0
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0.2
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-04
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-.
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0
-
1.26
1.76
0
1
1
-
5
2
3
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4
5.0
0
0
0
0
0
1.06
1.56
-
1
10.0
-
-
20
-
30
4.0
0
-0.2
0
-04
0
-.
-
Vds=8V
Ids=100mA
Associated
Gain(dB)
Vds=8V
Ids=60mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.70
0.64
0.58
0.57
0.49
0.52
0.51
0.50
0.45
Ang(deg)
-96.6
-67.5
-35.8
-0.6
30.4
64.9
97.5
129.5
163.8
Mag
0.69
0.65
0.58
0.54
0.47
0.50
0.49
0.47
0.41
Ang(deg)
-100.2
-70.8
-42.0
-7.8
21.1
54.7
87.0
117.6
152.9
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.17
0.22
0.37
0.44
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0.85
1.04
1.26
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0.33
0.31
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0.19
0.11
0.07
23.8
21.7
20.3
19.6
18.3
17.7
17.1
16.4
15.9
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.41
0.41
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0.53
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0.25
0.30
0.23
0.18
0.11
0.07
23.5
21.5
19.9
19.1
18.0
17.2
16.6
15.9
15.7
Vds=8V
Ids=80mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.70
0.64
0.58
0.54
0.49
0.50
0.49
0.48
Ang(deg)
-98.3
-69.0
-39.2
-4.8
25.7
59.3
91.1
123.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
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0.46
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1.00
0.14
0.21
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0.27
0.32
0.25
0.19
0.12
23.9
21.8
20.3
19.4
18.3
17.6
16.9
16.3
16.0
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
N
Ids=100mA
Ids=80mA
Ids=60mA
0
0.5
1.0
Frequency (GHz)
1.5
2.0
2.5
-6-
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PDF描述
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