參數(shù)資料
型號： OPB800W51
廠商： TT Electronics/Optek Technology
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 194K
描述： SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
檢測距離： 0.375" (9.53mm)
檢測方法： 可傳導(dǎo)的
輸出配置： 光電晶體管
電流 - DC 正向(If)： 50mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 30mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 30V
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊，預(yù)接線
包裝： 散裝
類型： 無放大
工作溫度： -40°C ~ 80°C
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 02/2013
Page 3 of 5
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Wide Gap Slotted Optical Switch
OPB800 & OPB810 (L and W Series)
Notes:
(1) Derate linearly 1.67 mW/?C above 25?C.
(2) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(3) All parameters tested using pulse technique.
(4) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ketones.
(5) The W Series includes wire terminations of 24 (610 mm) 7-strand, 26 AWG UL insulated wire on each terminal. Each device
incorporates a wire strain relief at the housing surface. The insulation functions and colors are: anode (red), cathode (black),
phototransistor collector (white) and phototransistor emitter (green).
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN   TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
    Forward Voltage
-     -    1.7    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-     -    100    礎(chǔ)   V
R
 = 2 V
Output Phototransistor
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage     30     -     -     V   I
C
 = 1 mA
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage     5     -     -     V   I
E
 = 100 礎(chǔ)
I
CEO
   Collector-Emitter Dark Current
-     -    100    nA   V
CE
 = 10 V
V
CE(SAT)
 
Collector-Emitter Saturation Voltage
   Parameter A   (OPB800,OPB810)
   Parameter B   (OPB801,OPB811)
   Parameter C   (OPB802,OPB812)
 
-
-
-
 
-
-
-
 
0.4
0.4
0.6
 
V
V
V
 
I
C
 = 250 礎(chǔ), I
F
 = 20 mA
I
C
 = 500 礎(chǔ), I
F
 = 10 mA
I
C
 = 1800 礎(chǔ), I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
 
On-State Collector Current
   Parameter A   (OPB800,OPB810)
   Parameter B   (OPB801,OPB811)
   Parameter C   (OPB802,OPB812)
 
0.625
1.25
2.25
 
-
-
-
 
-
-
-
 
mA
 
V
CE
 = 10 V, I
F
 = 20 mA
V
CE
 = 5 V, I
F
 = 10 mA
V
CE
 = 0.6 V, I
F
 = 20 mA
Combined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OPB804 SENS OPTO SLOT 3.94MM TRANS THRU
OPB806 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
OPB815W SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT
OPB821S5Z SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT
OPB821TXV SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OPB800W51Z 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB800W55 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB800W55Z 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB800W55Z 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR (SWITCH) TRANSMISSIVE / S
OPB801L51 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Photo Gap Detector
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