SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
參數(shù)資料
型號： OPA659IDRBR
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 6/32頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
放大器類型： J-FET
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 2550 V/µs
增益帶寬積： 350MHz
-3db帶寬： 650MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 1000µV
電流 - 電源： 32mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±3.5 V ~ 6.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SON 裸露焊盤（3x3）
包裝： 帶卷 (TR)
=
1
2 R C
p
F
GBP
4 R C
p
F
D
(1)
GBP
2 R C
p
F
D
f
=
-
3dB
(2)
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
To achieve a maximally flat second-order Butterworth
turn requires a total feedback capacitance of 0.46pF.
frequency response, the feedback pole should be set
Typical surface mount resistors have a parasitic
to:
capacitance of 0.2pF, leaving the required 0.26pF
value to achieve the required feedback pole. This
calculation gives an approximate 4.9MHz, –3dB
bandwidth computed by:
For
example,
adding
the
common
mode
and
differential mode input capacitance (0.7 + 2.8 =
3.5)pF
to
the
diode
source
with
the
20pF
capacitance, and targeting a 100k
transimpedance
Table 3 lists the calculated component values and
gain using the 350MHz GBP for the OPA659,
–3dB bandwidths for various TIA gains and diode
requires a feedback pole set to 3.44MHz. This pole in
capacitance.
Table 3. OPA659 TIA Component Values and Bandwidth for Various Diode Capacitance and Gains
CDIODE = 10pF
CD
RF
CF
f–3dB
13.5 pF
1k
3.50pF
64.24MHz
13.5 pF
10k
1.11pF
20.31MHz
13.5 pF
100k
0.35pF
6.42MHz
13.5 pF
1M
0.11pF
2.03MHz
CDIODE = 20pF
23.5 pF
1k
4.62pF
48.69MHz
23.5 pF
10k
1.46pF
15.40MHz
23.5 pF
100k
0.46pF
4.87MHz
23.5 pF
1M
0.15pF
1.54MHz
CDIODE = 50pF
53.5 pF
1k
6.98pF
32.27MHz
53.5 pF
10k
2.21pF
10.20MHz
53.5 pF
100k
0.70pF
3.23MHz
53.5 pF
1M
0.22pF
1.02MHz
CDIODE = 100pF
103.5 pF
1k
9.70pF
23.20MHz
103.5 pF
10k
3.07pF
7.34MHz
103.5 pF
100k
0.97pF
2.32MHz
103.5 pF
1M
0.31pF
0.73MHz
14
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAX4104ESA+T IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC
P40-G240-WHX CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU
RL0510S-R10-F RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402
5MT 100-R FUSE 100MA 250VAC 5X20 NORM
5MT 1.6-R FUSE 1.6A 250VAC 5X20 NORM
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參數(shù)描述
OPA659IDRBT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
OPA660 制造商:BB 制造商全稱:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER
OPA660AP 功能描述:IC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Discontinuation 18/May/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:0.42 V/µs 增益帶寬積:1.5MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:15nA 電壓 - 輸入偏移:1000µV 電流 - 電源:116µA 電流 - 輸出 / 通道:100mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):1.8 V ~ 5 V，±0.9 V ~ 2.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:851 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:296-20930-2
OPA660AU 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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