型號(hào): | OP600B |
英文描述: | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
中文描述: | 光電晶體管|叩| 890NM峰值波長(zhǎng)|藥丸的 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 166K |
代理商: | OP600B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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OP600C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
OP600 | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP600A | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,寬接收角,集電極最小電流1.20mA) |
OP600B | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,寬接收角,集電極最小電流0.60mA) |
OP600C | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,窄接收角,集電極最小電流0.30mA) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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OP600C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
OP601 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
OP602 | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP602TX | 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
OP602TXV | 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |