參數(shù)資料
型號(hào): OP600B
英文描述: PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A
中文描述: 光電晶體管|叩| 890NM峰值波長(zhǎng)|藥丸的
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代理商: OP600B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OP600C PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A
OP600 NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS
OP600A NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,寬接收角,集電極最小電流1.20mA)
OP600B NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,寬接收角,集電極最小電流0.60mA)
OP600C NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管,窄接收角,集電極最小電流0.30mA)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OP600C 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP601 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR
OP602 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS
OP602TX 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
OP602TXV 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1