參數(shù)資料
型號： NZT6714
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： NZT6714
TN6714A
/
NZT6714
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
IC = 1.0 A, VCE = 1.0 V
55
60
50
250
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 A, IB = 100 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 1.0 A, VCE = 1.0 V
1.2
V
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 030V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
40
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 40 V, IE = 0
0.1
A
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
0.1
A
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 50 mA, VCE = 10 V,
f = 20 MHz
2.5
25
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 mA, IE = 0, f = 1.0 MHz
30
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 1.0%
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
LS
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P3
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
CE
S
A
T
C
ββ = 10
125 C
- 40 C
25 °C
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PDF描述
O54GDC162.8C-149Y DIGITAL TEMP SENSOR-DUAL TRIP POINT
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OAS25320S-NV-WDM-40-08 FIBER OPTIC TRANSCEIVER, 2500Mbps(Tx), 2500Mbps(Rx), THROUGH HOLE MOUNT, SC CONNECTOR
OAS25320S-NV-WDM-42-05 FIBER OPTIC TRANSCEIVER, 2500Mbps(Tx), 2500Mbps(Rx), THROUGH HOLE MOUNT, SC CONNECTOR
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參數(shù)描述
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NZT6715 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6715_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6717 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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