| 型號(hào)： |
NTLJD3115PT1G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個(gè) P 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2.3A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
100 毫歐 @ 2A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
6.2nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
531pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
710mW
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-WDFN 裸露焊盤(pán)
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-WDFN（2x2）
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NTLJD3115PT1GOSDKR
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