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參數(shù)資料
| 型號： | NNCD5.6J |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 85 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | NNCD5.6J |
Data Sheet D15985EJ3V1DS
4
NNCD5.6J to NNCD36J
Figure 3. C
t
- V
R
CHARACTERISTICS
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
1
10
100
T
A
= 25
C
f = 1 MHz
NNCD5.6J
NNCD8.2J
NNCD10J
NNCD16J
NNCD18J
NNCD24J
NNCD36J
NNCD6.8J
V
R
- Reverse Voltage - V
Figure 4. SURGE REVERSE POWER RATINGS
Non-Repetive
P
R
t
T
- Pulse Width - s
P
R
T
= 25C
1000
100
10
1
100 m
10 m
1 m
100
μ
10
μ
1
μ
t
T
NNCD[ ]J
Figure 5. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE CHARACTERISTICS
833C/W
NNCD[ ]J
1000
100
10
1
t - Time - s
100
10m
100 m
1
10
100
1 m
1000
μ
Z
t
Remark
When using ceramic board of 10 x 7.5 x 0.75 mm (Cu film 11 x 2 x 0.035 mm)
C
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NNCD5.6LG-A | 2 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.2MG | 2 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.8C | 85 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| NPH15S4803IC | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NPI105C680MTRB | 1 ELEMENT, 68 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NNCD6.2A | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE |
| NNCD6.2A(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NNCD6.2B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE |
| NNCD6.2C | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE |
| NNCD6.2C-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:6.195V |
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