VCC
參數(shù)資料
型號： NLAS4684FCT1
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 9/14頁
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描述： IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROBUMP
產(chǎn)品變化通告： LTB Notification 03/Jan/2008
標準包裝： 3,000
功能： 開關
電路： 2 x SPDT
導通狀態(tài)電阻： 800 毫歐
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 200nA
工作溫度： -55°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-UFBGA，F(xiàn)CBGA
供應商設備封裝： 10-MicroBump
包裝： 帶卷 (TR)
NLAS4684
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Analog Section
Symbol
Parameter
Condition
VCC $10%
Guaranteed Maximum Limit
Unit
555C to 255C
t855C
t1255C
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RON (NC)
NC “ON” Resistance
(Note 3)
VIN v VIL
VIS = GND to VCC
IINI v 100 mA
2.5
3.0
5.0
0.6
0.5
0.4
0.7
0.5
0.4
0.8
0.5
W
RON (NO)
NO “ON” Resistance
(Note 3)
VIN w VIH
VIS = GND to VCC
IINI v 100 mA
2.5
3.0
5.0
1.0
0.8
1.0
0.8
1.0
0.9
W
RFLAT (NC)
NC_OnResistance
Flatness (Notes 3, 5)
ICOM = 100 mA
VIS = 0 to VCC
2.5
3.0
5.0
0.15
W
RFLAT (NO)
NO_OnResistance
Flatness (Notes 3, 5)
ICOM = 100 mA
VIS = 0 to VCC
2.5
3.0
5.0
0.35
W
DRON
OnResistance Match
Between Channels
(Notes 3 and 4)
VIS = 1.3 V;
ICOM = 100 mA
VIS = 1.5 V;
ICOM = 100 mA
VIS = 2.8 V;
ICOM = 100 mA
2.5
3.0
5.0
0.18
0.06
0.18
0.06
0.18
0.06
W
INC(OFF)
INO(OFF)
NC or NO Off
Leakage Current
(Figure 13) (Note 3)
VIN = VIL or VIH
VNO or VNC = 1.0
VCOM = 4.5 V
5.5
1
10
100 100
nA
ICOM(ON)
COM ON
Leakage Current
(Figure 13) (Note 3)
VIN = VIL or VIH
VNO 1.0 V or 4.5 V with
VNC floating or
VNC 1.0 V or 4.5 V with
VNO floating
VCOM = 1.0 V or 4.5 V
5.5
2
20
200 200
nA
3. Guaranteed by design. Resistance measurements do not include test circuit or package resistance.
4. DRON = RON(MAX) RON(MIN) between NC1 and NC2 or between NO1 and NO2.
5. Flatness is defined as the difference between the maximum and minimum value of onresistance as measured over the specified analog
signal ranges.
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