參數(shù)資料
型號： NDB7061/L86Z
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 64 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 159K
代理商： NDB7061/L86Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC7002N/S62Z 510 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS352AP/D87Z 900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS9407/D84Z 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9407/L99Z 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9925A 20 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB708A 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB708AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB708B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB708BE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB710A 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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