參數(shù)資料
型號： NDB6030L/S62Z
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 155K
代理商： NDB6030L/S62Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB7052/L86Z 75 A, 50 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB7061/L86Z 64 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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參數(shù)描述
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NDB603AL 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NDB6050L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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