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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R4A2CZA6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 25/51頁 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | NAND512R4A2CZA6F |
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NAND512-A2C
Software algorithms
31/51
An ECC model is available in VHDL or Verilog. Contact the nearest ST Microelectronics
sales office for more details.
Figure 15.
Error Detection
7.6
Hardware simulation models
7.6.1
Behavioral simulation models
Denali Software Corporation models are platform independent functional models designed
to assist customers in performing entire system simulations (typical VHDL/Verilog). These
models describe the logic behavior and timings of NAND Flash devices, and so allow
software to be developed before hardware.
7.6.2
IBIS simulations models
IBIS (I/O Buffer Information Specification) models describe the behavior of the I/O buffers
and electrical characteristics of Flash devices.
These models provide information such as AC characteristics, rise/fall times and package
mechanical data, all of which are measured or simulated at voltage and temperature ranges
wider than those allowed by target specifications.
IBIS models are used to simulate PCB connections and can be used to resolve compatibility
issues when upgrading devices. They can be imported into SPICETOOLS.
New ECC generated
during read
XOR previous ECC
with new ECC
All results
= zero?
22 bit data = 0
YES
11 bit data = 1
NO
1 bit data = 1
Correctable
Error
ECC Error
No Error
ai08332
>1 bit
= zero?
YES
NO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAT-3DC-2A+ | 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
| NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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