型號: | MXD1210CSA-T |
廠商: | Maxim Integrated |
文件頁數(shù): | 8/9頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC CTRLR NV RAM CMOS LOPWR 8SOIC |
產(chǎn)品培訓模塊: | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
標準包裝: | 2,500 |
控制器類型: | 非易失性 RAM |
電源電壓: | 4.75 V ~ 5.5 V |
工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOIC |
包裝: | 帶卷 (TR) |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MXD1210CWE | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
MXD1210CWE+ | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
MXD1210CWE+T | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
MXD1210CWE-T | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
MXD1210EPA | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |