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參數(shù)資料
| 型號： | MX0912B250Y |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | MX0912B250Y |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| N102100-6202PC | 100 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N102100-6212PC | 100 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N10214-6202PC | 14 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
| N10220-6202PC | 20 CONTACT(S), FEMALE, OTHER D TYPE CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B251Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B251Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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