參數(shù)資料
型號(hào)： MW4IC915
英文描述： MW4IC915MBR1. MW4IC915GMBR1 GSM/GSM EDGE. N-CDMA. W-CDMA. 860-960 MHz. 15 W. 26 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： MW4IC915MBR1。 MW4IC915GMBR1的GSM / GSM的EDGE網(wǎng)絡(luò)。 ? - CDMA技術(shù)。的W - CDMA。 860-960兆赫。 15日布什26最小輸出LDMOS的寬帶集成功率放大器
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代理商： MW4IC915
MW4IC001MR4
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 V, I
D
= 50
μ
A)
V
GS(th)
2
3
5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 V, I
D
= 10 mA)
V
GS(Q)
2
3.7
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 V, I
D
= 0.05 A)
V
DS(on)
—
0.48
0.9
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 V, I
D
= 0.1 A)
g
fs
—
0.05
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
DS
= 28
Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
45
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28
Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
0.62
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W PEP, I
DQ
= 12 mA,
f = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
G
ps
—
13
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W PEP, I
DQ
= 12 mA,
f = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
D
—
29
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W PEP, I
DQ
= 12 mA,
f = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
- 28
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W PEP, I
DQ
= 12 mA,
f = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
-18
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
(V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 12 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
—
0.85
—
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W CW, I
DQ
= 12 mA, f = 2170 MHz)
G
ps
12
13
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W CW, I
DQ
= 12 mA, f = 2170 MHz)
η
D
35
38
—
%
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W CW, I
DQ
= 12 mA, f = 2170 MHz)
IRL
-10
-16
—
dB
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW4IC001NR4 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW4IC2230GNBR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC2030GNBR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC2030M MW5IC2030MBR1. MW5IC2030GMBR1 1930-1990 MHz. 30 W. 26 V. GSM/GSM EDGE. W-CDMA. PHS. RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC2030NBR1_065 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW4IC915GMBR1 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 15W TO272-16GW RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR)
MW4IC915GNBR1 功能描述:射頻放大器 15W 900MHZ 26V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW4IC915GNBR1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW4IC915MBR1 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 15W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR)
MW4IC915NBR1 功能描述:射頻放大器 15W 900MHZ 26V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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