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參數(shù)資料
| 型號： | MW4IC2020 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 582K |
| 代理商： | MW4IC2020 |
11
MW4IC2020MBR1 MW4IC2020GMBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TO-272 WB-16 GULL
PLASTIC
MW4IC2020GMBR1
éééééé
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éééééé
.224 BSC
.150 BSC
CASE 1329A-03
ISSUE B
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT TOP OF LEAD
AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE THE
LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE TOP OF
THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 (0.15) PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1"
DO INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSIONS "b", "b1", "b2" AND "b3" DO NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE .005 (0.13)
TOTAL IN EXCESS OF THE "b", "b1", "b2" AND "b3"
DIMENSIONS AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. HATCHING REPRESENTS THE EXPOSED AREA OF
THE HEAT SINK.
DATUM
PLANE
Y
Y
DIM
A
A1
A2
MIN
.100
.001
.099
MAX
.104
.004
.110
MIN
2.54
0.02
2.51
MAX
2.64
0.10
2.79
MILLIMETERS
INCHES
M
N
b
b1
b2
b3
.600
.270
.011
.037
.037
.225
.017
.043
.043
.231
15.24
6.86
0.28
0.94
0.94
5.72
0.43
1.09
1.09
5.87
D
D1
E
E1
E2
.928
.810 BSC
.932
23.57
20.57 BSC
23.67
.429
.353
.346
.437
.357
.350
10.90
8.97
8.79
11.10
9.07
8.89
c1
e
e1
e2
e3
.007
.054 BSC
.040 BSC
.011
.18
1.37 BSC
1.02 BSC
5.69 BSC
3.81 BSC
.28
r1
t
.063
2
.068
8
1.6
2
1.73
8
aaa
.004
.10
B
b3
A
E1
e
D
4X
b1
D1
E
10X
b
C A
INDEX
e1
e2
b2
C A
M
aaa
M
aaa
C A
M
aaa
C A
M
aaa
M
aaa
C A
M
N
E2
VIEW Y-Y
2X
e3
L1
L
A1
PLANE
t
DETAIL Y
L
L1
.018
.024
4.90
0.25 BSC
5.06
.01 BSC
A2
C
H
c1
A
DETAIL Y
SEATING
PLANE
°
°
°
°
NOTE 6
2X
r1
B
E2
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW4IC2020D | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC2020GMBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC2020MBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC915GMBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW4IC915GNBR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MW4IC2020GNBR1 | 功能描述:射頻放大器 20W 26V EDGE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW4IC2020MBR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 20W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
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