參數(shù)資料
型號： MUN5235DW1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 雙偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 19/20頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： MUN5235DW1
MUN5211DW1T1 Series
http://onsemi.com
19
PACKAGE DIMENSIONS
SC88 (SOT363
)
CASE 419B02
ISSUE T
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 419B01 OBSOLETE, NEW STANDARD 419B02.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
MIN
0.071
0.045
0.031
0.004
0.026 BSC
0.004
0.004
0.008 REF
0.079
MAX
0.087
0.053
0.043
0.012
MIN
1.80
1.15
0.80
0.10
0.65 BSC
0.10
0.10
0.20 REF
2.00
MAX
2.20
1.35
1.10
0.30
MILLIMETERS
INCHES
0.10
0.25
0.30
0.004
0.010
0.012
2.20
0.087
B
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
A
G
S
H
C
N
J
K
6
5
4
B
D
6 PL
mm
inches
SCALE 20:1
0.65
0.025
0.65
0.025
0.50
0.0197
0.40
0.0157
1.9
0.0748
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
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PDF描述
MUN5235 Dual Bias Resistor Transistors
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參數(shù)描述
MUN5235DW1T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5235DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5235T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5235T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5236 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
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