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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5232 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | MUN5232 |
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 419-02
ISSUE H
SC–70/SOT–323
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
MIN
0.071
0.045
0.035
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.079
0.012
MAX
0.087
0.053
0.049
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.90
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
2.00
0.30
MAX
2.20
1.35
1.25
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.039
0.087
0.016
1.00
2.20
0.40
0.05 (0.002)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MUN5232DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5232DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5232T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5232T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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