參數(shù)資料
型號： MUN5135DW1T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 216K
代理商： MUN5135DW1T1
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5115DW1T1
Figure 22. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5116DW1T1
Figure 23. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5135DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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MUN5135T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5136 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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