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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5114T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | MUN5114T1 |
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5113T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
75
°
C
25
°
C
VC
Figure 13. DC Current Gain
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–25
°
C
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
10
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
IC/IB = 10
TA= –25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
TA= 75
°
C
VO = 0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5115T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN5116T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN5112T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN5113T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN5132T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5114T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5115 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5115DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5115DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5115DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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