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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2114 |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | MUN2114 |
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
MUN2111 Series
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=2.0mA, IB
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=10 uA ,IE=0)
Collector-Base Cutoff Voltage
(V
CB
=50 V, IE
Collector-Emitter Cutoff Current
(VCE=50V, B
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB
C
V(BR)CEO
ICBO
V(BR)CBO
VCE(sat)
ICEO
IEBO
mA
V
nA
V
nA
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Off Characteristics
On Characteristics
Typ
50
-
50
-
-
-
-
100
500
-
-
-
Electrical Characteristics
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
(2)
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.20
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Vdc
MUN2111
MUN2112
MUN2113
MUN2114
MUN2115
MUN2116
MUN2130
MUN2131
MUN2132
MUN2133
MUN2134
MUN2136
MUN2137
MUN2140
MUN2111
MUN2112
MUN2113
MUN2114
MUN2115
MUN2130
MUN2136
MUN2137
MUN2116
MUN2132
MUN2134
MUN2140
MUN2131
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC
-
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-
B
B
B
(IC
(IC
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2115 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2116 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2130 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2131 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2132 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2114RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2114T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2114T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2114T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
| MUN2115 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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