參數(shù)資料
型號： MTY55N20E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM
中文描述： 55 A, 200 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： CASE 340G-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： MTY55N20E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
1
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
t, TIME (s)
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
r
(
0.1
0.05
0.02
0.01
3000
2000
1000
0
25
50
75
100
125
150
1000
100
10
1
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
10
μ
s
1 ms
10 ms
dc
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
Figure 13. Thermal Response
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 55 A
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
SINGLE PULSE
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