參數(shù)資料
型號： MTD6N20E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
中文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： MTD6N20E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
I
ID = 6 A
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r
T
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100
10
1.0
0.1
1000
10
1.0
0.1
60
50
40
30
20
0
25
50
75
100
125
150
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
100
10
100
μ
s
10
μ
s
1 ms
10 ms
dc
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6P10E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
MTM55N10 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM60N06 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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MTP1306 TMOS POWER FET 75 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.0065 OHM
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參數(shù)描述
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