參數(shù)資料
型號(hào)： MT54W4MH9B-5
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST
中文描述： ⑩分配36MB四年防務(wù)審查II SRAM的2字爆
文件頁(yè)數(shù)： 23/27頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： MT54W4MH9B-5
4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V V
DD
, HSTL, QDRIIb2 SRAM
MT54W2MH18B_A.fm - Rev 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
23
2002, Micron Technology Inc.
TAP AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
to 1.8V
Input rise and fall times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1ns
Input timing reference levels. . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V
Output reference levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V
Test load termination supply voltage. . . . . . . . . . 0.9V
Figure 10
TAP AC Output Load Equivalent
TDO
0.9V
20pF
Z = 50
50
TAP DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
0oC T
A
+70oC;
+1.7V V
DD
+1.9V unless otherwise noted
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
V
IH
MIN
1.3
MAX
V
DD
+ 0.3
UNITS
V
NOTES
1, 2
Input High (Logic 1) Voltage
1,2
Input Low (Logic 0) Voltage
1,2
Input Leakage Current
Output Leakage Current
V
IL
-0.3
0.5
V
1, 2
0V
V
IN
V
DD
Output(s) disabled,
0V
V
IN
V
DD
Q (DQx)
I
OLC
= 100μA
IL
I
IL
O
-5.0
-5.0
5.0
5.0
μA
μA
Output Low Voltage
1
Output Low Voltage
1
Output High Voltage
1
Output High Voltage
1
NOTE:
1. 1All voltages referenced to Vss (GND).
2. Overshoot:
V
IH
(
AC
) V
DD
+ 0.7V for t
t
KHKH/2
Undershoot: V
IL
(
AC
) -0.5V for t
t
KHKH/2
Power-up:
V
IH
V
DD
Q + 0.3V and V
DD
+1.7V and V
DD
Q 1.4V for t 200ms
During normal operation, V
DD
Q must not exceed V
DD
. Control input signals (R#, W#, etc.) may not have pulse widths less than
t
KHKL (MIN) or operate at frequencies exceeding
t
KF (MAX).
V
OL
1
0.2
V
1
I
OLT
= 2mA
V
OL
2
0.4
V
1
I
OHC
= -100μA
V
OH
1
1.6
V
1
I
OHT
= -2mA
V
OH
1
1.4
V
1
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PDF描述
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