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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC8M16A2TG-8EL |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 50/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 1822K |
| 代理商： | MT48LC8M16A2TG-8EL |
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50
128Mb: x4, x8, x16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65
–
Rev. E; Pub. 1/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
SDRAM
WRITE – WITH AUTO PRECHARGE
1
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRC
tRCD
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK
ROW
ROW
BANK
tWR
D
IN
m
tDH
tDS
D
IN
m
+ 1
D
IN
m
+ 2
D
IN
m
+ 3
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
tAH
tAS
tAH
tAS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tCKH
tCKS
NOP
NOP
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
DON
’
T CARE
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. x16: A9 and A11 =
“
Don
’
t Care
”
x8: A11 =
“
Don
’
t Care
”
*CAS latency indicated in parentheses.
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
t
CMS
t
DH
t
DS
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
WR
MIN
1.5
0.8
1.5
37
60
15
15
1 CLK +
7ns
MAX
MIN
1.5
0.8
1.5
44
66
20
20
1 CLK +
7.5ns
MAX
MIN
2
1
2
50
70
20
20
1 CLK +
7ns
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–
120,000
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CKH
t
CKS
t
CMH
MIN
0.8
1.5
2.5
2.5
7
7.5
0.8
1.5
0.8
MAX
MIN
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
10
0.8
1.5
0.8
MAX
MIN
1
2
3
3
8
10
1
2
1
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC8M16A2TG-8ELIT | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48V16M16LFFG | MOBILE SDRAM |
| MT48H16M16LFFG | MOBILE SDRAM |
| MT49H16M18C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H16M18CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48LC8M16A2TG-8ELIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A2Y15WWC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX16 SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 3.3V - Trays |
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