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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT3S36T |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE |
| 中文描述： | 晶體管硅npn型平面型外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MT3S36T |
MT3S36T
3 2002-08-19
|S21e|
2
-IC
1V
2V
VCE=3V
f=1GHz
Ta=25
℃
0
5
10
15
20
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
I
2
|S21e|
2
-IC
1V
2V
VCE=3V
f=2GHz
Ta=25
℃
0
5
10
15
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
I
2
fT-IC
1V
2V
VCE=3V
f=2GHz
Ta=25
℃
0
5
10
15
20
25
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
T
Cre,Cob-VCB
Cob
Cre
IE=0
f=1MHz
Ta=25
℃
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.1
1
10
COLLECTOR-BASE VOLTAGE VCB(V)
R
O
NF,Ga-IC
NF
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25
℃
Ga
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
N
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
PC-Ta
0
20
40
60
80
100
120
0
25
AMBIENT TEMPERATURE Ta(
℃
)
50
75
100
125
150
175
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4S07 | VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications |
| MT4S101T | UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
| MT4S32U | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
| MT5C1008ECA-25 | 128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS |
| MT5C1008C-12 | 128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT3S37FS | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF Low-Noise Amplifier Application |
| MT3S37T | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
| MT3S38T | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE |
| MT3S40T | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:VCO OSCILLETOR STAGE UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
| MT3S41FS | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF Low-Noise Amplifier Application |
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