參數(shù)資料
型號(hào): MRFE6S9160HSR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 9/13頁(yè)
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代理商: MRFE6S9160HSR3
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRFE6S9160HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
C16
900 MHz
Rev. 2
C17
B1
C18
C19
R2
R1
L1
C1
C3
C4
C6
B2
C24
C22 C23
C21
C7 C9
C5
C2
C15
C13
C12
C11
C10
C8
L2
C20
C14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9200HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9201HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRFE6S9200HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray