參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S8046GNR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270BB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1487-05, WB-4, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/17頁(yè)
文件大?。?/td> 439K
代理商： MRFE6S8046GNR1
MRFE6S8046NR1 MRFE6S8046GNR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout = 25.5 W Avg.
17.8 W Avg.
4.5 W Avg.
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
895
0
6
865
3
1
885
875
870
4
2
5
VDD = 28 Vdc
IDQ = 285 mA
EDGE Modulation
f = 894 MHz
75
40
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
55
60
70
10
Figure 9. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
40
50
65
VDD = 28 Vdc, IDQ = 285 mA
EDGE Modulation
80
45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
55
60
65
70
20
Figure 10. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
30
50
40
VDD = 28 Vdc, IDQ = 285 mA
EDGE Modulation
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
20
0
10
1
35
65
59
41
5
17
Figure 11. EVM and Drain Efficiency
versus Output Power
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
EVM
VDD = 28 Vdc, IDQ = 285 mA
EDGE Modulation
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
880
890
45
20
30
75
18
16
14
12
10
8
6
4
2
53
47
23
29
11
10
880 MHz
864 MHz
f = 880 MHz
894 MHz
864 MHz
f = 894 MHz
880 MHz
864 MHz
1350
5
20
550
16
4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Broadband Frequency Response
IRL
0
15
4
10
8
5
12
0
1050
950
850
750
650
IRL
(dB)
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc
Pin = 0 dBm
IDQ = 300 mA
1150
1250
Gain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9045NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9046NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRFE6S9125NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRFE6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S8046NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFE6S9045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W NI270-2 FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*