參數(shù)資料
型號: MRF949T1
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-75, SC-90, 3 PIN
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 298K
代理商: MRF949T1
ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005
MRF949T1
6
MOTOROLA RF/IF DEVICE DATA
20
0
5.0
15
Figure 18. Output Third Order Intercept and
Output Power at 1.0 dB Gain Compression
versus Collector Current
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
25
10
THIRD
ORDER
INTERCEPT
AND
1.0
dB
COMPRESSION
POINT
(dBm)
–5.0
Zin = 50
Zout matched
for optimum IP3
OIP3
P1dB
VCE = 6.0 V
f = 1.0 GHz
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
25S
EP01
LAST
SHIP
26
MAR02
相關PDF資料
PDF描述
MRF9511ALT1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF951 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRFE6P3300HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6P3300HR5 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF951 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MRF9511LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143
MRF951V2 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V3 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V4 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel