參數(shù)資料
型號： MRF9130LSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 439K
代理商： MRF9130LSR3
MRF9130LR3 MRF9130LSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 3. Power Gain and Input Return Loss versus
Frequency
Figure 4. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Figure 7. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
h
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
15
18
1
0
60
Gps
η
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1000 mA
f = 940 MHz
17.5
50
17
40
16.5
30
16
20
15.5
10
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
15
18
IDQ = 1200 mA
VDD = 28 Vdc
f = 940 MHz
17
16
14
10
1
800 mA
1000 mA
600 mA
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
15
18
VDD = 24 V
IDQ = 1000 mA
f = 940 MHz
17
16
13
10
1
1000
14
26 V
28 V
30 V
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
15
18
TC = 20°C
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1000 mA
f = 940 MHz
17
16
14
10
1
1000
25°C
50°C
85°C
f, FREQUENCY (MHz)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
940
13
900
25
Gps
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1000 mA
18
0
17
5
16
10
15
14
20
920
1000
960
980
IRL
60 W
130 W
Pout = 60 W
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PDF描述
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