參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9030NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大小： 539K
代理商： MRF9030NR1
MRF9030NR1 MRF9030NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Gps
960
14
22
930
38
50
IRL
η
IMD
VDD = 26 Vdc
Pout = 30 W (PEP)
IDQ = 250 mA
TwoTone, 100 kHz Tone Spacing
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Class AB Broadband Circuit Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
18
14
,DRAINh
EFFICIENCY
(%)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
12
16
21
45
20
40
19
35
18
30
17
32
16
34
15
36
955
950
945
940
935
100
18.5
21.5
0.1
IDQ = 375 mA
300 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
21
20.5
20
19.5
19
10
1
250 mA
200 mA
100
55
15
0.1
IDQ = 200 mA
375 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion versus
Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
O
R
T
ION
(dBc)
IMD,
20
25
30
35
40
45
50
10
1
250 mA
300 mA
100
80
10
0.1
7th Order
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
20
30
40
50
60
70
10
1
5th Order
3rd Order
100
10
22
0.1
0
60
Gps
η
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f = 945 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
20
50
18
40
16
30
14
20
12
10
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030S UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF9045MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF9045MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF9045NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF9045NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
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MRF9045 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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