參數(shù)資料
型號: MRF9030NBR1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors
中文描述: 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大?。?/td> 299K
代理商: MRF9030NBR1
MRF9030NR1 MRF9030NBR1 MRF9030MR1 MRF9030MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TO
272
2
PLASTIC
MRF9030NBR1(MBR1)
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DRAIN ID
GATE
E2
E2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125NR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET TO-270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030NR1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF9030R1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9030SR1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF904 功能描述:TRANS NPN 15V 30MA TO-72 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR