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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S26120HSR3 |
| 廠(chǎng)商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 928K |
| 代理商： | MRF8S26120HSR3 |
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MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LOSS
(d
B)
2570
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 28 Watts Avg.
--17
--13
--14
--15
--16
15
16
15.9
15.8
--40
32
31.8
31.6
31.4
--35
--36
--37
--38
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
2590
2610
2630
2650
2670
2690
2710 2730
31.2
--39
--18
PARC
PA
RC
(d
B)
--1.4
--1
--1.1
--1.2
--1.3
--1.5
AC
PR
(d
Bc)
VDD =28 Vdc,Pout =28 W(Avg.),IDQ = 900 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 80 W (PEP), IDQ = 900 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2655 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
20
0
--2
--4
OU
TPU
T
COMPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
10
30
40
60
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 25 W
--2 dB = 35 W
--3 dB = 45 W
50
VDD =28 Vdc,IDQ = 900 mA, f = 2655 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--55
--25
--30
--35
--45
--40
--50
16.5
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16
15.5
15
14.5
14
13.5
Gps
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